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STP13N80K5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STP13N80K5

功能描述

N-channel 800 V, 0.37, 12 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in D짼PAK, TO-220FP and TO-220 packages

文件大小

1.60817 Mbytes

页面数量

20

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 15:32:00

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STP13N80K5规格书详情

描述 Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

特性 Features

● Industry’s lowest RDS(on) x area

● Industry’s best FoM (figure of merit)

● Ultra-low gate charge

● 100 avalanche tested

● Zener-protected

Applications

● Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STP13N80K5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    800 V

  • 闸/源击穿电压:

    30 V

  • 漏极连续电流:

    12 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.37 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    TO-220

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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