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STP13N80K5规格书详情
描述 Description
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
特性 Features
● Industry’s lowest RDS(on) x area
● Industry’s best FoM (figure of merit)
● Ultra-low gate charge
● 100 avalanche tested
● Zener-protected
Applications
● Switching applications
产品属性
- 型号：
STP13N80K5
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
800 V
- 闸/源击穿电压：
30 V
- 漏极连续电流：
12 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.37 Ohms
- 配置：
Single
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
TO-220
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
16900 |
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ST |
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ST |
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ST/意法 |
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ST/意法半导体 |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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TO-220 |
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ST(意法半导体) |
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TO-220-3 |
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ST/意法 |
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TO-220 |
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询价 |
