STN790A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

The device in manufactured in low voltage PNP planar technology by using a “Base Island” layout.

The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

特性 Features

• Very low collector to emitter saturation voltage
• 3A continuous collector current
• DC current gain, hFE >100
• SOT-223 plastic package for surface mounting circuits in tape and reel packing
• 40 V breakdown voltage V(BR)CER

简介

STN790A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的STN790A晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。