STN1HNK60中文资料N沟道600 V、7.3 Ohm典型值、1 A SuperMESH功率MOSFET，SOT-223封装数据手册ST规格书
STN1HNK60规格书详情
描述 Description
These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
• Extremely high dv/dt capability
• 100% avalanche tested
• Gate charge minimized
技术参数
- 制造商编号
：STN1HNK60
- 生产厂家
：ST
- Package
：SOT-223
- Grade
：Industrial
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：8.5
- Drain Current (Dc)_max(A)
：1
- PTOT_max(W)
：3.3
- Qg_typ(nC)
：7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原盒原包装 |
33000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
1000000 |
询价 | ||||
ST/意法 |
25+ |
SOT223 |
996880 |
只做原装,欢迎来电资询 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT223 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
SOT223 |
20300 |
ST/意法原装特价STN1HNK60即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOT-223-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
SOT-223 |
3800 |
大批量供应优势库存热卖 |
询价 | ||
STMICROELECTRONICS |
2023+ |
SMD |
4800 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
STM |
10+11+ |
SOT223 |
1010 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
2024+ |
SOT-223-3 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
询价 |
