Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )

PRODUCT SUMMARY (N-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max 30V 6.5A 31 @ VGS=10V 42 @ VGS=4.5V PRODUCT SUMMARY (P-Channel) VDSS ID RDS(ON) (mΩ) Max -30V -6A 35 @ VGS=-10V 53 @ VGS=-4.5V

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SAMHOP

三合微科

P-Chanel and N-Channel MOSFET use advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Mosfets

Samhop

三合微科

Terminator Die

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MOLEX

莫仕

Terminator Die

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MOLEX

莫仕

Terminator Die - OVERLAP INSULATION CRIMP

文件：25.01 Kbytes 页数：1 Pages

MOLEX

莫仕