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STLD200N4F6AG中文资料汽车级N沟道40 V、1.27 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双侧冷却封装数据手册ST规格书
STLD200N4F6AG规格书详情
描述 Description
该器件是采用STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
特性 Features
• 通过AEC-Q101认证
• 超低导通电阻
• 超低栅极电荷
• 高雪崩坚固性
• 低栅驱动功率损耗
• 侧面可焊性封装
技术参数
- 制造商编号
：STLD200N4F6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：PowerFLAT 5x6 Dual Side Cooling
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：40
- RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω)
：0.002
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.0015
- Drain Current (Dc)_max(A)
：120
- PTOT_max(W)
：158
- Qg_typ(nC)
：172
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
8-PowerWDFN |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST(意法) |
25+ |
8-PowerWDFN |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16900 |
原装，正品 |
询价 | ||
ST |
24+ |
DFN5x6 |
1200 |
原装现货,有上库存就有货,假一赔十 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
16960 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
