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STL92N10F7AG

汽车级N沟道100 V、0.008 Ohm典型值、16 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装; • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 处于市面上最低的 RDS(on)行列 \n• 出色的品质因数(FoM) \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力 \n• 具有可湿性侧面的封装;

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。\n\n

STSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STL92N10F7AG

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

技术参数

  • Package:

    PowerFLAT 5x6 WF

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0095

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    16

  • PTOT_max(W):

    5

  • Qg_typ(nC):

    45

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法半导体
22+
PowerFLAT-5x6-8
6006
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PowerFLAT 5x6 WF
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鍙仛鍘熻鐜拌揣锛佸亣涓€璧斿崄锛佹杩庣湅楠岃
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更多STL92N10F7AG供应商 更新时间2025-7-28 8:31:00