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STP11N65M5	文件：246.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP11N65M5	文件：1.2819 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.43typ.,9AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP11N65M5	文件：1.2819 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.43廓typ.,9AMDmesh??VPowerMOSFETinD2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STU11N65M5	文件：1.2819 Mbytes Page：25 Pages	N-channel650V,0.43typ.,9AMDmeshVPowerMOSFETinD2PAK,DPAK,TO-220FP,TO-220andIPAKpackages Description ThesedevicesareN-channelMDmesh™VPowerMOSFETsbasedonaninnovativeproprietaryverticalprocesstechnology,whichiscombinedwithSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproducthasextremelylowonresistance,whichisunmatcheda	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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