Automotive N-channel 40 V, 2.4 mΩ typ., 100 A, STripFET F7 Power MOSFET in an LFPAK 5x6 package

Features • AEC-Q101 qualified • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that

文件：234.4 Kbytes 页数：12 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、100 A STripFET F6功率MOSFET，LFPAK封装

该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 符合AEC-Q101标准 \n• 市场上最低的RDS(on) \n• 出色的品质因数 (FoM) \n• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;

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