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STI8N65M5中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

STI8N65M5
厂商型号

STI8N65M5

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

丝印标识

I2PAK

封装外壳

TO-262

文件大小

358.45 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 20:00:00

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STI8N65M5规格书详情

FEATURES

• Drain Current –ID= 7A@ TC=25℃

• Drain Source Voltage-

: VDSS= 650V(Min)

• Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 60mΩ (Max)

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Switching application

产品属性

  • 型号:

    STI8N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 650 V 0.56 Ohm, 7A MDmesh

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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