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STI47N60DM6AG中文资料汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET，I2PAK封装数据手册ST规格书
STI47N60DM6AG规格书详情
描述 Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
特性 Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower R
DS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected
技术参数
更多- 制造商编号
：STI47N60DM6AG
- 生产厂家
：ST
- Package
：I2PAK
- Grade
：Automotive
- VDSS(V)
：600
- RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)
：0.08
- Drain Current (Dc)_max(A)
：36
- PTOT_max(W)
：250
- Qg_typ(nC)
：55
- Features
：Fast recovery diode
- Reverse Recovery Time_typ(ns)
：115
- Qrr_typ(nC)
：540
- Peak Reverse Current_nom(A)
：9.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
I2PAK |
7814 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-262 |
47186 |
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ST |
109 |
只做正品 |
询价 | ||||
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
12820 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-262-3 |
16900 |
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STMicroelectronics |
24+ |
NA |
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24+ |
N/A |
69000 |
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ST |
25+ |
30000 |
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询价 |
