首页>STI24NM65N>规格书详情
STI24NM65N中文资料PDF规格书
STI24NM65N规格书详情
Description
This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Application
■ Switching applications
产品属性
- 型号：
STI24NM65N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 650V-0.16ohms 19A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
12+ |
TO-262 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
询价 | ||
ST |
TO-262 |
36900 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
ST |
23+ |
TO-262 |
16900 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
I2PAK |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
2022 |
TO-262 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
ST全系列 |
22+23+ |
TO-262 |
26641 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
ST |
22+ |
TO-262 |
16900 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
SUNTO/尚途 |
23+ |
SOT23-6 |
326508 |
原装正品现货供应 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
I2PAK |
17134 |
询价 |
