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STH315N10F7-6	文件：1.14638 Mbytes Page：19 Pages	丝印：315N10F7；Package：H2PAK-6；Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m廓 typ., 180 A STripFET??F7 Power MOSFETs 文件：1.14638 Mbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH315N10F7-6	文件：2.73644 Mbytes Page：9 Pages	5 kW low voltage high current inverter for industrial motor control applications 文件：2.73644 Mbytes 页数：9 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH315N10F7-6	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车级N沟道100 V、2.1 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
STH3N150-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	ST 上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	ST
STHVDAC-303F6	文件：0 bytes Page：0 Pages	BGA	ST 上传：深圳市凯睿晟科技有限公司	ST

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更多STH315N10F7-6供应商更新时间2025-12-16 11:03:00