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STH260N4LF7-6	文件：598.52 Kbytes Page：17 Pages	丝印：260N4LF7；Package：H2PAK-6；N-channel 40 V, 1.2 mΩ typ., 180 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent figure of merit (FoM) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications • Switching applications Description These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced tren 文件：598.52 Kbytes 页数：17 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH3N150-2	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-263	ST 上传：深圳市佳斯泰科技有限公司	ST
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更多STH260N4LF7-6供应商更新时间2024-2-29 11:17:00