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STH140N8F7-2	文件：314.76 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：314.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
STH140N8F7-2	文件：772.6 Kbytes Page：15 Pages	丝印：140N8F7；Package：H2PAK-2；N-channel 80 V, 3.3 m廓 typ., 90 A STripFET??F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package 文件：772.6 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STH140N8F7-2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。 • 处于市面上最低的RDS(on) 行列 \n• 出色的品质因数（FoM） \n• 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力 \n• 坚固的抗雪崩能力;	ST 意法半导体	ST
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更多STH140N8F7-2供应商更新时间2025-12-12 15:01:00