丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：314.33 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

High avalanche ruggedness

文件：857.18 Kbytes 页数：19 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package

该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。\n \n • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列\n• 低导通电阻• 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力\n• 坚固的抗雪崩能力;

ST

意法半导体

TO-263

ST

上传：深圳市励创源科技有限公司

TO-263

TOS

上传：深圳市宏浩通电子科技有限公司