STGYA120M65DF2AG 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ST/意法半导体

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1+	面议

厂家型号：
STGYA120M65DF2AG
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
生产厂商：
ST/意法半导体
库存数量：
7350
产品封装：
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-4-27 23:00:00

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原厂料号：STGYA120M65DF2AG品牌：ST(意法半导体)

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STGYA120M65DF2AG是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ST(意法半导体)/STMicroelectronics生产封装TO-247-3的STGYA120M65DF2AG晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
STGYA120M65DF2AG
规格书：
下载下载2
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
内容页数：
14 页
文件大小：
2186.39 kb
资料说明：
Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 120 A, low-loss, M series IGBT in a Max247 long leads package

产品参考属性

类型
描述
产品编号：
STGYA120M65DF2AG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
M
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.15V @ 15V，120A
开关能量：
1.8mJ（开），4.41mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
66ns/185ns
测试条件：
400V，120A，4.7 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
MAX247™
描述：
IGBT

供应商

企业：
深圳市高捷芯城科技有限公司
商铺：
进入商铺
联系人：
肖冠
手机：
19076157484
询价：
电话：
0755-83062789
传真：
0755-82550578
地址：
深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层B

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STGYA120M65DF2AG

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