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STGW20IH125DF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
STGW20IH125DF |
参数属性 | STGW20IH125DF 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1250V 40A 259W TO-247 |
功能描述 | 1250 V, 20 A IH series trench gate field-stop IGBT |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-247 / TO-247-3 |
文件大小 |
1.35779 Mbytes |
页面数量 |
17 页 |
生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
中文名称 | 意法半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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STGW20IH125DF规格书详情
STGW20IH125DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGW20IH125DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
描述 Description
These IGBTs are developed using an advanced
proprietary trench gate field-stop structure and
performance is optimized in both conduction and
switching losses. A freewheeling diode with a low
drop forward voltage is co-packaged. The result is
a product specifically designed to maximize
efficiency for any resonant and soft-switching
application.
特性 Features
• Designed for soft commutation only
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
• Minimized tail current
• VCE(sat) = 2.0 V (typ.) @ IC = 15 A
• Tight parameters distribution
• Safe paralleling
• Very low VF soft recovery co-packaged diode
• Low thermal resistance
• Lead free package
Applications
• Induction heating
• Microwave oven
• Resonant converters
产品属性
更多- 产品编号:
STGW20IH125DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,15A
- 开关能量:
410µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/106ns
- 测试条件:
600V,15A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 1250V 40A 259W TO-247
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-247 |
928 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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TO-247-3 |
8860 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
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STMicroelectronics |
25+ |
TO-247-3 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-247-3 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-247-3 |
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