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STGIB15CH60S-XZ	文件：624.97 Kbytes Page：23 Pages	SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT Features • IPM 20 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Shu 文件：624.97 Kbytes 页数：23 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGIB15CH60S-XZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs	ST 意法半导体	ST
STGIB15CH60TS-E	文件：1.08085 Mbytes Page：24 Pages	3-phase inverters for motor drives 文件：1.08085 Mbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGIB15CH60TS-L	文件：1.08096 Mbytes Page：24 Pages	3-phase inverters for motor drives 文件：1.08096 Mbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STGIB15CH60TS-LZ	文件：763.87 Kbytes Page：24 Pages	SLLIMM - 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V, short‑circuit rugged IGBT Features • IPM 20 A, 600 V, 3-phase IGBT inverter bridge including 2 control ICs for gate driving and freewheeling diodes • 3.3 V, 5 V TTL/CMOS inputs with hysteresis • Internal bootstrap diode • Undervoltage lockout of gate drivers • Smart shutdown function • Short-circuit protection • Sh 文件：763.87 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
SDIP2B-26L
Breakdown Voltage_max(V)：
600
Collector Current_max(@ Tc=25°C)(A)：
20
Collector Current_max(@ Tc=80°C)(A)：
15
Current Rating_max：
40
VCE(sat)_typ(@ IC Characterization)(V)：
1.65
Switching Frequency_max(kHz)：
20
PTOT_nom(W)：
81
Topology：
3-Phase Inverter
Substrate Material：
DBC
Embedded power switches：
IGBTs
Logical Function：
Positive inputs
Other Features：
Bootstrap diode
Protection Option Type：
Undervoltage lockout

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多STGIB15CH60S-XZ供应商更新时间2025-10-28 13:01:00

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