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STGFW30NC60V分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGFW30NC60V
厂商型号

STGFW30NC60V

参数属性

STGFW30NC60V 封装/外壳为TO-3P-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 36A 80W TO3PF

功能描述

30 A - 600 V - very fast IGBT
IGBT 600V 36A 80W TO3PF

丝印标识

GFW30NC60V

封装外壳

TO3-PF / TO-3P-3 整包

文件大小

763.47 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:31:00

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STGFW30NC60V规格书详情

STGFW30NC60V属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGFW30NC60V晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGFW30NC60V

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    220µJ(开),330µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    31ns/100ns

  • 测试条件:

    390V,20A,3.3 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 600V 36A 80W TO3PF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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