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STGF15H60DF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

STGF15H60DF
厂商型号

STGF15H60DF

参数属性

STGF15H60DF 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 30A 30W TO220FP

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
IGBT 600V 30A 30W TO220FP

丝印标识

GF15H60DF

封装外壳

TO-220FP / TO-220-3 整包

文件大小

1.86596 Mbytes

页面数量

23

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
STMICROELECTRONICS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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STGF15H60DF规格书详情

STGF15H60DF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由意法半导体集团制造生产的STGF15H60DF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

描述 Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate and field stop

structure. This IGBT series offers the optimum

compromise between conduction and switching

losses, maximizing the efficiency of very high

frequency converters. Furthermore, a positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in easier paralleling

operation.

特性 Features

• High speed switching

• Tight parameters distribution

• Safe paralleling

• Low thermal resistance

• Short-circuit rated

• Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Applications

• Motor control

• UPS, PFC

产品属性

更多
  • 产品编号:

    STGF15H60DF

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    散装

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,15A

  • 开关能量:

    136µJ(开),207µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    24.5ns/118ns

  • 测试条件:

    400V,15A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 30W TO220FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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TO-220F
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