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STGF14NC60KD

N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK SHORT CIRCUIT RATED PowerMESH IGBT

文件:456.95 Kbytes 页数:14 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF14NC60KD

14 A, 600 V - short-circuit rugged IGBT

文件:543.38 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF14NC60KD

N-channel 14A - 600V - TO-220 - TO-220FP - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

文件:833.54 Kbytes 页数:17 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF14NC60KD

14 A - 600 V - short circuit rugged IGBT

文件:455.93 Kbytes 页数:16 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STGF14NC60KD

14 A、600 V短路保护IGBT

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. • Short circuit withstand time 10μs \n• Low Cres / Cies ratio (no cross conduction susceptibility) \n• Low on-voltage drop (VCE(sat)) \n• Very soft ultra fast recovery antiparallel diode \n• Switching losses include diode recovery energy;

ST

意法半导体

STGF14NC60KD

Package:TO-220-3 整包;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 11A 28W TO220FP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    STGF14NC60KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    PowerMESH™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,7A

  • 开关能量:

    82µJ(开),155µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    22.5ns/116ns

  • 测试条件:

    390V,7A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220FP

  • 描述:

    IGBT 600V 11A 28W TO220FP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST(意法半导体)
24+
TO-220F
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ST/意法半导体
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TO-220-3 FP
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06+
TO-220FP
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普通
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更多STGF14NC60供应商 更新时间2025-11-19 10:00:00