STGD5NB120SZT4_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

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厂家型号：
STGD5NB120SZT4
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-28 16:36:00

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详细信息
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原厂料号：STGD5NB120SZT4品牌：STMicroelectronics

资料说明：IGBT 1200V 10A 75W DPAK

STGD5NB120SZT4是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的STGD5NB120SZT4晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
stgd5nb120szt4
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
资料说明：
IGBT 1200V 10A 75W DPAK

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGD5NB120SZT4
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
PowerMESH™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，5A
开关能量：
2.59mJ（开），9mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
690ns/12.1µs
测试条件：
960V，5A，1 千欧，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
IGBT 1200V 10A 75W DPAK

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STGD5NB120SZT4

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