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STGB10NC60HDT4_ST/意法半导体_IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V斌能达电子
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号：
STGB10NC60HDT4
- 功能描述：
IGBT 晶体管 N Ch 10A 600V
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
供应商
- 企业：
深圳市斌能达电子科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
朱生
- 手机：
15986652922
- 询价：
- 地址：
深圳市福田区上步工业区501栋405
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