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STF8810	文件：113.22 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：113.22 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STF8810	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop
STG8810	文件：197.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Suface Mount Package. ● ESD Protected. 文件：197.82 Kbytes 页数：7 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
STG8810	文件：965.75 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：965.75 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STG8810A	文件：137.46 Kbytes Page：8 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Suface Mount Package. ● ESD HBM > 2KV. 文件：137.46 Kbytes 页数：8 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP

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