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STF7N80K5中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STF7N80K5
厂商型号

STF7N80K5

功能描述

Ultra low gate charge

文件大小

689.13 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-6 23:40:00

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STF7N80K5规格书详情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

• Industry’s lowest RDS(on) x area

• Industry’s best FoM (figure of merit)

• Ultra-low gate charge

• 100 avalanche tested

• Zener-protected

Applications

• Switching applications

产品属性

  • 型号:

    STF7N80K5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A SuperMESH 5

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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