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STF6N65K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STF6N65K3

Marking:6N65K3;Package:TO-220FP;N-channel 650 V, 1.1 ohm typ., 5.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, IPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STFI6N65K3

N-channel650V,1.1ohmtyp.,5.4ASuperMESH3PowerMOSFETinTO-220FP,IPAKFP,IPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STU6N65K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

STU6N65K3

N-channel650V,1.1ohmtyp.,5.4ASuperMESH3PowerMOSFETinTO-220FP,IPAKFP,IPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

详细参数

  • 型号:

    STF6N65K3

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST/意法
22+
TO-220F
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原装正品现货 可开增值税发票
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更多STF6N65K3供应商 更新时间2025-7-21 14:10:00