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STE250N06	文件：330.91 Kbytes Page：8 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE ■ HIGH CURRENT POWER MODULE ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY (SEE STH80N06 FOR RATING) ■ VERY LARGE SOA - LARGE PEAK POWER CAPABILITY ■ EASY TO MOUNT ■ SAME CURRENT CAPABILITY FOR THE TWO SOURCE TERMINALS ■ EXTREMELY LOW Rth JU 文件：330.91 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STE250N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE	ST 意法半导体	ST
AP250N06GF	文件：1.33755 Mbytes Page：7 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON) 文件：1.33755 Mbytes 页数：7 Pages	APME 永源微电子	APME
AP250N06NF	文件：975.17 Kbytes Page：8 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON) 文件：975.17 Kbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME
AP250N06P	文件：1.21121 Mbytes Page：8 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features - VDS = 60V ID =250A - RDS(ON) 文件：1.21121 Mbytes 页数：8 Pages	APME 永源微电子	APME

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