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STE15NA100	文件：80.16 Kbytes Page：5 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.65Ω ■HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWERCAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHETWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRth(Junctionto	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STY15NA100	文件：364.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.77Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STY15NA100	文件：44.69 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL1000V-0.65ohm-15A-Max247MOSFET DESCRIPTION TheMax247TMpackageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreduce	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.65Ω ■HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWERCAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHETWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRth(Junctionto

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.77Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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N-CHANNEL1000V-0.65ohm-15A-Max247MOSFET

DESCRIPTION TheMax247TMpackageisanewhighvolumepowerpackageexibitingthesamefootprintastheindustrystandardTO-247,butdesignedtoaccomodatemuchlargersiliconchips,normallysuppliedinbiggerpackagessuchasTO-264.Theincreaseddiecapacitymakesthedeviceidealtoreduce

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