STDRIVEG600数据手册集成电路（IC）的全半桥驱动器规格书PDF

描述 Description

STDRIVEG600是用于增强型GaN FET或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。

高边部分的设计可承受最高600 V的电压，适用于总线电压高达500 V的设计。

该器件具有高电流能力、短传播延迟和低至5 V的工作电源电压，其设计用于驱动高速GaN和Si FET。

STDRIVEG600在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。

逻辑输入兼容CMOS/TTL（可低至3.3 V），易于与微控制器和DSP连接。

特性 Features

• dV/dt抗扰度±200 V/ns
• 驱动器电流能力：
•1.3/2.4 A 拉/灌 典型值 @25°C，6 V
•5.5/6 A 拉/灌 典型值 @25°C，15 V
• 开关栅极驱动器引脚相分离
• 45 ns传播延迟，紧密匹配
• 具有迟滞的3.3 V，5 V TTL / CMOS输入
• 互锁功能
• 低边和高边部分的UVLO
• 关闭功能专用引脚
• 超温保护

简介

STDRIVEG600属于集成电路（IC）的全半桥驱动器。由制造生产的STDRIVEG600全半桥驱动器器件属于电桥驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 系列，包含两个或多个功率晶体管，以及在外部器件控制下将其用作开关所需的电路。这些晶体管通常在内部配置为成对串联连接（称为半桥），因而任意指定晶体管对之间的结点都可以连接至两个电源轨中的任一个。这类器件常用于将控制器件（如微控制器）提供的低电平信号转换为操作执行器（如步进电机或无刷电机）所需的较大功率信号。