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STD4NK60Z-1规格书详情
描述 Description
These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFETs developed using STMicroelectronics SuperMESH™ technology, achieved through optimization of STs well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
特性 Features
■ 100 avalanche tested
■ Very low intrinsic capacitances
产品属性
- 型号：
STD4NK60Z-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
32360 |
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询价 | ||
ST |
TO-251 |
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ST/意法 |
22+ |
TO-251-3 |
12056 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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ST(意法半导体) |
24+ |
IPAK |
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ST |
24+ |
TO-251 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-251-3 |
16900 |
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ST |
25+23+ |
TO-251 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
TO-251-3 |
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ST(意法半导体) |
TO-251-3 |
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ST/意法 |
2450+ |
TO-251 |
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