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STD4NA40	文件：169.86 Kbytes Page：10 Pages	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.7Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION ■THROUGH-HOLEIPAK(TO-251)POWERPACKAGEINTUBE(SUFFIX-1) ■SURFACE-MOUNTINGDPAK(TO-252)POWERPACKAGEINTAPE&REEL(SUFFIX	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
P4NA40FI	文件：198.85 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NA40	文件：371.9 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP4NA40	文件：198.85 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP4NA40FI	文件：318.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP4NA40FI	文件：198.85 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFASTPOWERMOSTRANSISTOR DESCRIPTION ThisseriesofPOWERMOSFETSrepresentsthemostadvancedhighvoltagetechnology.TheoptimizedcelllayoutcoupledwithanewproprietaryedgeterminationconcurtogivethedevicelowRDS(on)andgatecharge,unequalledruggednessandsuperiorswitchingperformance. ■TYPICALRDS(o	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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