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STB3NK60ZT4	文件：1.10289 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STB3NK60ZT4	文件：936.59 Kbytes Page：34 Pages	N-channel600V,3.2Ωtyp.,2.4ASuperMESH™PowerMOSFETsinD²PAK,IPAK,DPAK,TO-220andTO-220FPpackages Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STB3NK60ZT4	文件：755.89 Kbytes Page：15 Pages	N-CHANNEL600V-3.3ohm-2.4ATO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAKZener-ProtectedSuperMESH?줡owerMOSFET DESCRIPTION TheSuperMESH™seriesisobtainedthroughanextremeoptimizationofST’swellestablishedstripbasedPowerMESH™layout.Inadditiontopushingon-resistancesignificantlydown,specialcareistakentoensureaverygooddv/dtcapabilityforthemostdemandingapplications.Suchseri	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK60ZT4	文件：936.59 Kbytes Page：34 Pages	N-channel600V,3.2Ωtyp.,2.4ASuperMESH™PowerMOSFETsinD²PAK,IPAK,DPAK,TO-220andTO-220FPpackages Description Thesehigh-voltagedevicesareZener-protectedN-channelPowerMOSFETs developedusingtheSuperMESH™technologybySTMicroelectronics,an optimizationofthewell-establishedPowerMESH™.Inadditiontoasignificant reductioninon-resistance,thesedevicesaredesignedtoensure	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK60ZT4	文件：1.07822 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD3NK60ZT4	文件：321.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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