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STD3NK60Z-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
STD3NK60Z-1 |
| 功能描述 | N-channel 600 V, 3.2 Ω typ., 2.4 A SuperMESH™ Power MOSFETs in D²PAK, IPAK, DPAK, TO-220 and TO-220FP packages |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | IPAK |
| 文件大小 |
936.59 Kbytes |
| 页面数量 |
34 页 |
| 生产厂商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-7 9:48:00 |
| 人工找货 | STD3NK60Z-1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD3NK60Z-1规格书详情
描述 Description
These high-voltage devices are Zener-protected N-channel Power MOSFETs
developed using the SuperMESH™ technology by STMicroelectronics, an
optimization of the well-established PowerMESH™. In addition to a significant
reduction in on-resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt
capability for the most demanding applications.
特性 Features
Order codes VDS RDS(on) max. ID Package
STB3NK60ZT4
600 V 3.6 Ω 2.4 A
D2PAK
STD3NK60Z-1 IPAK
STD3NK60ZT4 DPAK
STP3NK60Z TO-220
STP3NK60ZFP TO-220FP
• Extremely high dv/dt capability
• 100 avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Zener-protected
Applications
• Switching applications
产品属性
- 型号：
STD3NK60Z-1
- 功能描述：
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
TO-251 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-251 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-251 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
TO-251-3 |
7600 |
原装现货，欢迎询价 |
询价 | ||
ST专家 |
2021+ |
IPAK |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
15000 |
专业帮助客户找货 配单,诚信可靠! |
询价 | |||
ST专家 |
IPAK |
23500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ST |
24+ |
TO-251 |
6000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO251 |
6996 |
只做原装正品现货 |
询价 |
