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STD35N3LH5中文资料PDF规格书

STD35N3LH5
厂商型号

STD35N3LH5

功能描述

Low gate drive power losses

文件大小

872.47 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    STD35N3LH5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 14m 35A 16mOhm STripFET V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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