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STD20P3H6AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package; Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified\nVery low on-resistance\nVery low gate charge\nHigh avalanche ruggedness\nLow gate drive power loss\n; This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.\n	STSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	ST
STD20P3H6AG	文件：728.87 Kbytes Page：15 Pages	High avalanche ruggedness	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD3NK60ZT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 相关企业：深圳市旺财半导体有限公司	ST
STD4N80K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252	ST 相关企业：深圳市华康联电子科技有限公司	ST
STD4N90K5	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST TO-252-3	ST 相关企业：天津市博通航睿技术有限公司	ST

更多STD20P3H6AG供应商更新时间2025-7-30 18:45:00