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STD16NE10中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD16NE10

功能描述

N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 16A - IPAK/DPAK STripFET MOSFET

文件大小

88.74 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 20:00:00

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STD16NE10规格书详情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process.The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ THROUG-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVERS,etc.)

■ DC-DC & DC-ACCONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION

产品属性

  • 型号:

    STD16NE10

  • 功能描述:

    MOSFET RO 511-STD15NF10 TO-252 N-CH 100V 16A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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