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STD155N3H6中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

STD155N3H6

功能描述

N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, D PAK, DPAK STripFET VI DeepGATE Power MOSFET

文件大小

949.48 Kbytes

页面数量

18

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 10:37:00

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STD155N3H6规格书详情

描述 Description

These devices are 30 V N-channel Power MOSFETs realized using ST`s proprietary STripFET™ VI technology. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest R DS(on) in all packages.

特性 Features

■ RDS(on) * Qg industry benchmark

■ Extremely low on-resistance RDS(on)

■ High avalanche ruggedness

Application

■ Switching applications

■ Automotive

产品属性

  • 型号:

    STD155N3H6

  • 功能描述:

    MOSFET Nchannel 30 V 2.5 m Ohm80A DPAK STripFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
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