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STD12L01	文件：97.24 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：97.24 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STD12L01	文件：979.01 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件：979.01 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STD12L01	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop
STD12L01A	文件：96.37 Kbytes Page：7 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N 文件：96.37 Kbytes 页数：7 Pages	Samhop 三合微科	Samhop
STD12L01A	文件：1.86796 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.86796 Mbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
STD12L01A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Mosfets	Samhop 三合微科	Samhop

更多STD12L01供应商更新时间2025-10-6 10:24:00