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STD100N10F7中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
STD100N10F7
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2407+ |
IC |
30098 |
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询价 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
DPAK |
2500 |
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ST |
23+ |
TO-252 |
50000 |
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ST |
2024+ |
N/A |
70000 |
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ST(意法) |
2511 |
DPAK |
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STM |
23+ |
TO-252-3 (DPAK) |
50000 |
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STMicroelectronics |
23+ |
MOSFET |
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HIROSE/广濑 |
2508+ |
/ |
287692 |
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24+ |
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ST(意法半导体) |
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