STD03N分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
STD03N |
| 参数属性 | STD03N 封装/外壳为TO-3P-5；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 160V 15A TO3P-5L |
| 功能描述 | High collector power dissipation: Pc=160W |
| 封装外壳 | TO-3P-5 |
| 文件大小 |
398.28 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Sanken |
| 中文名称 | 三垦 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-9 23:01:00 |
| 人工找货 | STD03N价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
STD03N规格书详情
STD03N属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由三垦电气株式会社制造生产的STD03N晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
STD03N
- 制造商：
Sanken
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 10mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
5000 @ 10A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-3P-5
- 供应商器件封装：
TO-3P-5L
- 描述：
TRANS NPN DARL 160V 15A TO3P-5L
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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