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STBV15600BY4	文件：1.65783 Mbytes Page：6 Pages	GaN HEMT 50V, 600W,1.3-1.6GHz RF Power Transistor Description The STBV15600BY4 is a dual path 600watt , Input matched GaN HEMT, ideal for applications from 1.3 to 1.6GHz especially for LTE/5G There is no guarantee of performance when this part is used outside of stated frequencies. Applications  Asymmetrical Doherty amplifier within 1.3-1 文件：1.65783 Mbytes 页数：6 Pages	INNOGRATION 远创达	INNOGRATION
STBV32其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-92	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
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更多STBV15600BY4供应商更新时间2026-1-31 13:31:00