Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

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Samhop

三合微科

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

Samhop

三合微科

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package.

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三合微科

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体