Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

文件：195.69 Kbytes 页数：10 Pages

SAMHOP

三合微科

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

Samhop

三合微科

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：1.85862 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ● Super high dense cell design for low RDS(ON). ● Rugged and reliable. ● Surface Mount Package.

文件：696.32 Kbytes 页数：7 Pages

SAMHOP

三合微科

N-Channel 20V (D-S) MOSFET

文件：1.85866 Mbytes 页数：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体