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STB36NM60N_V01 | Automotive-grade N-channel 600 V, 0.093 Ω, 29 A, MDmesh™ II Power MOSFET in a D²PAK package Features • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified • 100 avalanche tested • Low input capacitance and gate charge • Low gate input resistance Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second gene 文件：1.04479 Mbytes 页数：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
ST | ST 上传：深圳市轩嘉盛电子有限公司 | ST | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STMicroelectronics |
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ST/意法半导体 |
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ST/意法半导体 |
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更新时间2025-10-6 14:16:00
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