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STB23NM60ND中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

STB23NM60ND
厂商型号

STB23NM60ND

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

丝印标识

D2PAK

封装外壳

TO-263

文件大小

314.45 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
ISC
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    STB23NM60ND

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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