| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>STB200NF04T4>详情
STB200NF04T4_VBSEMI/微碧半导体_MOSFET N-Ch 40 Volt 120 Amp安富世纪一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:STB200NF04T4
- 生产厂家
:意法
- 漏源电压(Vdss)
:40V
- 栅源极阈值电压(最大值)
:4V @ 250uA
- 漏源导通电阻(最大值)
:3.7 mΩ @ 90A,10V
- 类型
:N 沟道
- 功率耗散(最大值)
:310W(Tc)
相近型号
- STB200NF04-2
- STB20150C
- STB200NF04-1
- STB20150CTR
- STB200NF041
- STB20200C
- STB200NF04
- STB2045C
- STB200NF03T4IC
- STB2045CTR
- STB200NF03T4
- STB2060C
- STB2060CTR
- STB200NF03-1
- STB20GC14.18750MHZ
- STB200NF03
- STB20GC14.31818MHZ
- STB200N6F3T4
- STB-20HA/A
- STB200N6F3IC
- STB20N06
- STB200N6F3
- STB20N60C3
- STB200N4F3T4
- STB20N60M2EP
- STB200N4F3
- STB20N60M2-EP
- STB200N04
- STB20N65M5
- STB-2000-0.15-37.5
- STB20N65M520N65M5
- STB-2000-0.015-22.5
- STB-2000-0.0010-15.0
- STB1NB60
- STB20N90K5
- STB1E4-58
- STB20N95K5
- STB1E1-58
- STB20N95K520N95K5
- STB19NM65NT4
- STB19NM65N
- STB20NE06
- STB19NF20T4-TR
- STB20NE06L
- STB19NF20T4
- STB20NE06LT4
- STB20NF06
- STB19NF2019NF20
- STB20NF06LT4
- STB19NF2019N20



