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STB15N25 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.2 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ LOW GATE CHARGE ■ LOW LEAKAGE CURRENT ■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION ■ THROUGH-HOLE I2PA 文件：87 Kbytes 页数：6 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
STB15N25 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST | |
15A, 250V N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：151.37 Kbytes 页数：3 Pages | UTC 友顺 | UTC | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：151.97 Kbytes 页数：3 Pages | UTC 友顺 | UTC | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：578.9 Kbytes 页数：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | HMSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
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TO |
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ST/意法 |
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更新时间2025-12-1 8:31:00
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