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STB155N3LH6
厂商型号

STB155N3LH6

功能描述

N-channel 30 V, 2.4 m廓 , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

文件大小

1.01349 Mbytes

页面数量

18

生产厂商

STMICROELECTRONICS

中文名称

意法半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:49:00

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STB155N3LH6规格书详情

描述 Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

特性 Features

■ 100 avalanche tested

■ Logic level drive

Applications

■ Switching applications

■ Automotive

产品属性

  • 型号:

    STB155N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-channel 30V 0.0024 Ohm, 80 A, D2PAK

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
25+23+
TO252
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ST/意法半导体
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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ST/意法半导体
23+
N/A
20000
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