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STB13NM50N-1中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
STB13NM50N-1
- 功能描述：
MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220MONOC.. |
17088 |
询价 | |||
22+ |
NA |
3000 |
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询价 | |||
ST/意法 |
19+ |
TO-263-3 |
1000 |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-262 |
16900 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO220MONOC.. |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
ST |
TO-262 |
36900 |
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询价 | |||
ST |
2315+ |
I2PAK |
3866 |
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询价 | ||
ST |
22+23+ |
TO-263 |
40909 |
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询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
