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STB13NM50N-1中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

STB13NM50N-1
厂商型号

STB13NM50N-1

功能描述

N-channel 500V - 0.250廓 - 12A - TO-220/FP - TO-247-I2/D2PAK Second generation MDmesh??Power MOSFET

文件大小

622.4 Kbytes

页面数量

17

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 22:30:00

产品属性

  • 型号:

    STB13NM50N-1

  • 功能描述:

    MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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