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STB12NM60N中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号:
STB12NM60N
- 功能描述:
MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
300 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST |
2020+ |
TO263 |
80000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
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ST |
22 |
TO263 |
25000 |
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ST意法 |
N/A |
22+ |
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22+ |
NA |
3000 |
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STMicro. |
23+ |
D2PAK |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
90000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
TO-263 |
2510 |
原厂原装正品 |
询价 |